11月25日，在深圳召開的國際半導體照明聯(lián)盟（ISA）成員大會公布了2019年“全球半導體照明突出貢獻獎”評選結果，江風益院士榮獲“全球半導體照明突出貢獻獎”。

江風益長期從事硅基氮化鎵LED基礎研究及產(chǎn)業(yè)化工作，研究方向涉及半導體發(fā)光材料、芯片、器件物理和專用裝備，獲授權中國發(fā)明磚利55件、美國發(fā)明磚利23件。近年來，江風益團隊研制了LED涵蓋高光束質(zhì)量的藍光、青光、綠光、黃光、金黃光、紅光等，推出了芯片、器件、燈具等上中下游系列新產(chǎn)品，為高光效硅基氮化鎵LED的科技進步及產(chǎn)業(yè)化做出了開創(chuàng)性貢獻。

江風益獲獎的推薦人是中村修二教授。評委會認為，江風益團隊研究發(fā)展的實用混色白光LED，光譜可調(diào)，無需使用熒光粉；在基礎LED技木的研究頗具成果，并對未來更高能效及光譜精細可調(diào)的LED照明光源產(chǎn)生深刻影響。

“全球半導體照明突出貢獻獎”是全球半導體照明領域的高獎項，旨在表彰獎勵為全球半導體照明事業(yè)做出卓越貢獻，在科學發(fā)現(xiàn)、技木創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、標準定制、政策實施等各個領域取得卓越成就的個人和機構。該獎項是對全球半導體照明領域內(nèi)的卓越貢獻者的言人可和致敬，藉此激勵越來越多的科學家投身這一偉大事業(yè)，用他們的知識和創(chuàng)新推動歷史前進，創(chuàng)造出更多激勵人心的成果，造福人類，惠及眾生。從2013年首次評選至今（含2019年），共有包括諾貝爾物理學獎得主在內(nèi)的9名個人和5個國際組織獲此殊榮。